- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت 13N10-VB
13N10-VB دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | 13N10-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 64.238 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت 13N10-VB |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec 13N10-VB
- Power Dissipation (Pd): 3.75W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 18A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 127mΩ@10V,20A
- Package: TO-220F
- Manufacturer: VBsemi Elec